[发明专利]一种填充方钴矿基复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200910196619.3 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102031416A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈立东;熊震;陈喜红;黄向阳;张文清;何琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C12/00 | 分类号： | C22C12/00;C22C1/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 彭茜茜;白益华 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种复合材料，所述复合材料包括如下式(I)所示的填充方钴矿基体；IyCo4Sb12 (I)，其中，I至少为Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr中的一种，0.05≤y＜1，所述复合材料还包括分布在所述填充方钴矿基体内的GaSb颗粒，其中所述复合材料中含有0.05-5mol％的GaSb颗粒。所述复合材料相比未复合纳米GaSb相的热电材料基体而言，材料的Seebeck系数大幅度提高，总热导率略有下降，热电性能指数ZT值在高低温整个温区范围内得到大幅提高，材料的热电转换效率也得到较大改进。本发明工艺简单、容易控制、产业化前景好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 填充 方钴矿基 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括：如下式(I)所示的填充方钴矿基体；IyCo4Sb12 (I)，其中，I至少为Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr中的一种，0.05≤y＜1，以及分布在所述填充方钴矿基体内的GaSb颗粒，其中，所述复合材料中含有0.05‑5mol％的GaSb颗粒。
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