[发明专利]提高连接孔特征尺寸均匀性的方法有效
| 申请号： | 200910196545.3 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102034735A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;胡华勇;黄敬勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高连接孔特征尺寸均匀性的方法，应用于解决连接孔特征尺寸在晶圆中间区域大，边缘区域小的问题：在ILD上依次涂布ODL、底部抗反射层和光阻胶层，所述ODL的厚度从晶圆中间到边缘区域逐渐减薄；曝光显影图案化所述光阻胶层，以图案化的光阻胶层为掩膜，依次刻蚀所述底部抗反射层和ODL，至显露出下面的ILD；刻蚀ODL时采用氮气和氢气作为刻蚀气体，或者采用二氧化硫作为刻蚀气体；对ILD进行刻蚀形成连接孔，并去除所述光阻胶层、底部抗反射层和ODL。本发明还公开一种提高连接孔特征尺寸均匀性的方法，应用于解决连接孔特征尺寸在晶圆中间区域小，边缘区域大的问题。本发明大大提高了连接孔特征尺寸均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 连接 特征 尺寸 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提高连接孔特征尺寸均匀性的方法，应用于解决连接孔特征尺寸在晶圆中间区域大，晶圆边缘区域小的问题，该方法包括：在层间介质层上依次涂布有机分布层ODL、底部抗反射层和光阻胶层，所述ODL的厚度从晶圆中间区域到晶圆边缘区域逐渐减薄；曝光显影图案化所述光阻胶层，以图案化的光阻胶层为掩膜，依次刻蚀所述底部抗反射层和ODL，至显露出下面的层间介质层；刻蚀ODL时采用氮气和氢气作为刻蚀气体，或者采用二氧化硫作为刻蚀气体；对层间介质层进行刻蚀形成连接孔，并去除所述光阻胶层、底部抗反射层和ODL。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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