[发明专利]多元素掺杂的n型氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910195701.4 | 申请日： | 2009-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101660120A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;万冬云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多种元素掺杂的n型氧化锌基透明导电薄膜，所述掺杂元素在薄膜的晶粒内、晶粒表面以及晶界中分布不均匀。本发明利用高真空磁控溅射技术，沉积多种元素掺杂氧化锌多晶薄膜，通过控制各种掺杂元素在晶粒和晶界形成过程中的固溶和扩散行为，实现掺杂元素在晶粒表面和晶界的富集分布，形成具有掺杂元素分布不均的复合氧化锌基薄膜，增进在高温潮湿环境下的稳定性。本发明获得的高性能氧化锌基透明导电薄膜制备工艺简单，导电性能优越，成本低廉，并具有可见光区高的透明度，在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 多元 掺杂 氧化锌 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多种元素掺杂的n型氧化锌基透明导电薄膜，其特征在于，所述掺杂元素在薄膜的晶粒内、晶粒表面以及晶界中分布不均匀。
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