[发明专利]差分闪存器件及提高差分闪存器件耐久性的方法有效
| 申请号： | 200910194918.3 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102005243A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 罗文哲;欧阳雄 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 提供一种提高差分闪存器件耐久性的方法和差分闪存器件，该方法包括：读取所述第一闪存单元和所述第二闪存单元以确定至少与所述第一阈值电压和所述第二阈值电压关联的第一电流，所述第一阈值电压等于第一值，所述第二阈值电压等于第二值；确定所述第一电流是否对应于预定逻辑状态；如果所述第一电流未对应于所述预定逻辑状态，则对所述第一闪存单元和所述第二闪存单元进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 提高 耐久性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高差分闪存器件耐久性的方法，所述差分闪存器件包括第一闪存单元和第二闪存单元，所述第一闪存单元包括与第一阈值电压关联的第一晶体管，所述第二闪存单元包括与第二阈值电压关联的第二晶体管，所述方法包括：读取所述第一闪存单元和所述第二闪存单元以确定至少与所述第一阈值电压和所述第二阈值电压关联的第一电流，所述第一阈值电压等于第一值，所述第二阈值电压等于第二值；确定所述第一电流是否对应于预定逻辑状态；如果所述第一电流未对应于所述预定逻辑状态，则对所述第一闪存单元和所述第二闪存单元进行编程。
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