[发明专利]CMOS图像传感器像素、制造方法及图像捕获设备有效
| 申请号： | 200910194789.8 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102005414A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 朱虹;杨建平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器像素、制造方法及图像捕获设备。所述CMOS图像传感器制造方法包括：提供衬底材料，该衬底材料特征在于第一尺度和第二尺度；在衬底材料上限定有源区，该有源区特征在于第三尺度和第四尺度；在衬底材料上限定非有源区，该非有源区不同于有源区，该非有源区特征在于第五尺度和第六尺度，该非有源区主要包括纯硅材料；在有源区内限定耗尽区；在耗尽区上方形成n型区，该n型区在有源区内；在有源区内形成栅极区；形成掺杂区，该掺杂区在非有源区内，该掺杂区特征在于包括在预定浓度范围的至少一种物质；以及对掺杂区退火形成复数个空隙。从而可以减少光晕效应。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 像素 制造 方法 图像 捕获 设备 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器制造方法，包括：提供衬底材料，该衬底材料特征在于第一尺度和第二尺度；在衬底材料上限定有源区，该有源区特征在于第三尺度和第四尺度；在衬底材料上限定非有源区，该非有源区不同于有源区，该非有源区特征在于第五尺度和第六尺度，该非有源区主要包括纯硅材料；在有源区内限定耗尽区；在耗尽区上方形成n型区，该n型区在有源区内；在有源区内形成栅极区；形成掺杂区，该掺杂区在非有源区内，该掺杂区特征在于包括在预定浓度范围的至少一种物质；以及对掺杂区退火形成复数个空隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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