[发明专利]一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法有效
申请号: | 200910192094.6 | 申请日: | 2009-09-08 |
公开(公告)号: | CN101691658A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 徐刚;甄恩明;徐雪青;苗蕾 | 申请(专利权)人: | 中国科学院广州能源研究所 |
主分类号: | C23C20/08 | 分类号: | C23C20/08 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 莫瑶江 |
地址: | 510640 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种设备及工艺简单的制备c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法。具体步骤包括:(1)以二乙酰丙酮氧钒为原料,配制成溶胶;(2)以此溶胶为涂覆液,在清洗干净的衬底材料上,采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜;(3)在含氧气氛中进行热处理。本发明具有工艺简单,可大面积制备,制备成本低廉等优点。所制备的五氧化二钒薄膜沿c轴方向生长,取向单一,有利于离子的嵌入与脱嵌,可改善锂离子电池阴极及电致变色器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 取向 生长 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将二乙酰丙酮氧钒与无水乙醇或无水甲醇混合,配制成溶胶;(2)以此溶胶为涂覆液,在清洗干净的衬底材料上,采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜;(3)在含氧气氛中进行热处理。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C20-02 .镀金属材料
C23C20-06 .镀金属材料以外的无机材料
C23C20-08 ..镀化合物、混合物或固溶体,例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..镀金属
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