[发明专利]一种等离子装置以及纳米晶硅薄膜的制作方法有效
| 申请号： | 200910190328.3 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102021514A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗惠;林宗颖;廖子杰;彭佳凌;刘家麟;莫启能 | 申请（专利权）人： | 深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/32;H01L21/203 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体设计技术领域，提供了一种等离子装置以及纳米晶硅薄膜的制作方法。其中装置包括：腔体；位于所述腔体中的电弧电极组，所述电弧电极组包括一阳极以及一阴极，所述阴极与阳极之间具有一电弧放电空间，且所述阴极与阳极在彼此相对的一端分别具有一结晶硅靶材，所述结晶硅靶材的电阻率小于0.01欧姆·厘米；以及位于所述腔体中的承载基座，所述承载基座具有一承载面，且所述承载面面向所述电弧放电空间。由于利用了具有结晶硅靶材的电弧电极组，可以以较简易的制程制作出高质量的纳米晶硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 装置 以及 纳米 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种等离子装置，其特征在于，所述装置包括：腔体；位于所述腔体中的电弧电极组，所述电弧电极组包括一阳极以及一阴极，所述阴极与阳极之间具有一电弧放电空间，且所述阴极与阳极在彼此相对的一端分别具有一结晶硅靶材，所述结晶硅靶材的电阻率小于0.01欧姆·厘米；以及位于所述腔体中的承载基座，所述承载基座具有一承载面，且所述承载面面向所述电弧放电空间。
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