[发明专利]绝缘栅双极晶体管无效
| 申请号： | 200910179034.0 | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101714573A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 伊藤将之 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)，所述绝缘栅双极晶体管占据小面积并且抑制热击穿。IGBT包括：n型半导体层(3)；以及集电极部，该集电极部形成在n型半导体层(3)的表面部分中。集电极部包括：n型缓冲区域(14)；以及p+型集电极区域(15)和n+型接触区域(18)，该p+型集电极区域(15)和n+型接触区域(18)被形成在n型缓冲区域(14)中。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，包括：衬底区域；以及集电极部，其形成在所述衬底区域的表面部分中，其中所述集电极部包括：缓冲区域；p+型区域，其形成在所述缓冲区域中；以及n+型区域，其形成在所述缓冲区域中。
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