[发明专利]MEMS热膜传感器和IC电路单片集成的方法有效
| 申请号： | 200910175402.4 | 申请日： | 2009-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101723306A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 何洪涛;沈路 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 河北省石家庄市中国*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS热膜传感器和IC电路单片集成的方法，本方法中采用了MEMS体硅加工工艺和IC制造工艺，两种工艺按照工艺温度条件交叉进行加工。本方法包括以下步骤：1)按照预先设计在同一硅片划分出IC电路区和MEMS热膜传感器区域，2)在IC电路区进行IC电路制作中的实施前期高温工艺步骤；3)在MEMS热膜传感器区域淀积氮化硅薄膜，制备传感器支撑膜；4)在整个硅片上淀积磷硅玻璃，升温回流平整化晶圆表面；5)进而同步制备传感器区电路和IC电路；6)沉积保护层，并刻蚀释放结构。解决了两种工艺的温度不兼容性问题，解决了长期以来人们期望解决而没有实现的。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 ic 电路 单片 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS热膜传感器和IC电路单片集成的方法，本方法基于MEMS体硅加工工艺和IC单片制造工艺，其特征在于包括以下步骤：1)按照预先设计在同一硅片划分出IC电路区和MEMS热膜传感器区域；2)在IC电路区进行IC电路制作中的实施前期高温工艺步骤；3)在MEMS热膜传感器区域淀积氮化硅薄膜(11)，制备传感器支撑膜；4)在整个硅片上淀积磷硅玻璃(12)，升温回流平整化晶圆表面；5)进而同步制备传感器区电路和IC电路；6)沉积保护层，并刻蚀释放结构。
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