[发明专利]抑制背景镀覆

摘要

一种方法，包括在介电体上选择性沉积具有高透光率的相变阻挡物，以形成图案，蚀刻掉介电体上没有被该阻挡物覆盖的部分，并沉积金属晶种层到介电体的蚀刻部分上。然后通过光诱导的镀覆在金属晶种层上沉积金属层。

主权项

1、一种方法，包括：a)提供包括n掺杂正面和p掺杂背面的掺杂半导体，和覆盖该掺杂半导体的n掺杂正面的介电层；b)在介电层上选择性沉积具有30％或更高的透光率的相变阻挡物，以在介电层上形成图案；c)蚀刻掉介电层上没有被相变阻挡物覆盖的部分，从而将掺杂半导体的n掺杂正面的一部分暴露；d)沉积金属晶种层到掺杂半导体n掺杂正面的暴露部分；且e)通过光诱导的镀覆在金属晶种层沉积金属层。