[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置

摘要

本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。

主权项

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：可真空排气的、接地的处理容器；经由绝缘物或空间安装在所述处理容器内的第一电极；静电电容可变部，该静电电容可变部电气地连接在所述第一电极和接地电位之间，在设置于所述第一电极与所述处理容器的侧壁之间的环状绝缘体中形成有环状的液体收容室，经由配管从所述处理容器的外面向所述液体收容室导入具有规定的介电常数的液体或者从所述液体收容室向所述处理容器的外面导出具有规定的介电常数的液体，从而使静电电容可变；在所述处理容器内隔开规定的间隔与所述第一电极平行配置，并与所述第一电极相对，支承被处理基板的第二电极；向所述第一电极、所述第二电极和所述处理容器的侧壁之间的处理空间提供所希望的处理气体的处理气体供给部；为了在所述处理空间生成所述处理气体的等离子体，在所述第二电极上施加第一高频的第一高频供电部；以及根据被实施等离子体处理的所述基板的等离子体处理的处理条件或者所述基板的处理片数切换所述静电电容可变部的静电电容的静电电容控制部。