[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

可真空排气的、接地的处理容器；

经由绝缘物或空间安装在所述处理容器内的第一电极；

静电电容可变部，该静电电容可变部电气地连接在所述第一电极和接地电位之间，在设置于所述第一电极与所述处理容器的侧壁之间的环状绝缘体中形成有环状的液体收容室，经由配管从所述处理容器的外面向所述液体收容室导入具有规定的介电常数的液体或者从所述液体收容室向所述处理容器的外面导出具有规定的介电常数的液体，从而使静电电容可变；

在所述处理容器内隔开规定的间隔与所述第一电极平行配置，并与所述第一电极相对，支承被处理基板的第二电极；

向所述第一电极、所述第二电极和所述处理容器的侧壁之间的处理空间提供所希望的处理气体的处理气体供给部；

为了在所述处理空间生成所述处理气体的等离子体，在所述第二电极上施加第一高频的第一高频供电部；以及

根据被实施等离子体处理的所述基板的等离子体处理的处理条件或者所述基板的处理片数切换所述静电电容可变部的静电电容的静电电容控制部。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述静电电容控制部预先将所述静电电容可变部的静电电容的值调大，随着处理片数的增加，减小所述静电电容的值。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述静电电容控制部，在沉积膜能够附加于所述第一电极上的处理的时候，将所述静电电容可变部的静电电容切换到高，在沉积膜不能附加于所述第一电极上的时候，将所述静电电容可变部的静电电容切换到低。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述静电电容控制部，在多步骤的处理中，在除了最后步骤的各步骤的处理的时候，将所述静电电容可变部的静电电容切换到高，在最后步骤的处理的时候将所述静电电容可变部的静电电容切换到低。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述静电电容可变部具有可变电容器。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

向所述第二电极施加比所述第一高频的频率低的第二高频。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

具有向所述第一电极施加所希望的直流电压的直流电源。