[发明专利]发光元件无效
| 申请号： | 200910173133.8 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101673798A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 新井优洋;饭塚和幸 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00;H01S5/343;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒纯丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光元件的制造成品率高的发光元件。本发明中的发光元件1包括具有第一导电型的第一半导体层、与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层、夹入第一半导体层和第二半导体层之间的有源层105的半导体层压结构10、设置在半导体层压结构10的一个表面侧的对有源层105发出的光进行反射的反射层132、在反射层132的半导体层压结构10侧的相反侧通过金属接合层支撑半导体层压结构10的支撑衬底20、与支撑衬底20的金属接合层侧的相反侧的面接触设置的密合层200、与密合层200的接触支撑衬底20的面的相反侧的面接触设置的，隔着密合层与支撑衬底20之间合金化的背面电极210。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，包括：具有第一导电型的第一半导体层、与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层、夹入所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层的半导体层压结构；设置在所述半导体层压结构的一个表面侧的对所述有源层发出的光进行反射的反射层；在所述反射层的所述半导体层压结构侧的相反侧隔着金属接合层支撑所述半导体层压结构的支撑衬底；与所述支撑衬底的所述金属接合层侧的相反侧的面接触设置的密合层；以及与所述密合层接触所述支撑衬底的面的相反侧的面接触设置的由多种金属的合金制成的背面电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立电线株式会社，未经日立电线株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910173133.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
