[发明专利]发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件。本发明特别是涉及一种能够以高成品率制造的高光输出的发光元件。

背景技术

已知以往技术中一种发光元件(例如参照专利文献1)，该发光元件包括在一个表面具有正电极的硅支撑衬底、设置在硅支撑衬底的另一表面上的金属反射层、设置在金属反射层上并与金属反射层形成欧姆接触的透光膜、具有夹入设置在透光膜上并与透光膜形成欧姆接触的p型半导体层和n型半导体层之间的有源层的半导体层压结构、设置在半导体层压结构上的负电极。

专利文献1中记载的发光元件由于在半导体层压结构和金属反射层之间配置具有导电性的透光膜，与半导体层压结构和金属反射层二者形成欧姆接触的同时，抑制了半导体层压结构和金属反射层之间的合金化，所以可形成具有优异的光反射特性的金属反射层，能够提供发光效率提高的发光元件。

专利文献1：日本特开2005-175462号公报

发明内容

但是，专利文献1中记载的发光元件在制造时，由于通过切割工艺分别分离多个发光元件时，在硅支撑衬底的背面产生硅支撑衬底的碎片、裂纹等所谓的背面碎屑，所以发光元件的制造成品率的提高存在限制。

因此，本发明的目的在于提供一种发光元件的制造成品率高的发光元件。

本发明提供一种发光元件，所述发光元件包括具有第一导电型的第一半导体层、与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层、夹入第一半导体层和第二半导体层之间的有源层的半导体层压结构，设置在半导体层压结构的一个表面侧的对有源层发出的光进行反射的反射层，在反射层的半导体层压结构的相反侧隔着金属接合层支撑半导体层压结构的支撑衬底，与支撑衬底的金属接合层侧的相反侧的面接触设置的密合层，以及与密合层的接触支撑衬底的面的相反侧的面接触设置的由多种金属的合金制成的背面电极。

此外，上述发光元件的半导体层压结构也可隔着设置在反射层和金属接合层之间的透明层被支撑衬底支撑，透明层也可具有贯通透明层并电连接半导体层压结构和反射层的界面电极。此外，密合层也可由固定支撑衬底和背面电极的Ti形成。进而，背面电极也可具有高于Au的硬度。而且，背面电极也可由选自Al、Sn、Si、Zn、Be和Ge构成的组中的至少一种材料和Au的合金形成。

根据本发明中的发光元件，可提供一种发光元件的制造成品率高的发光元件。

附图说明

图1A为实施方式中的发光元件的纵截面示意图。

图1B为实施方式中的发光元件的俯视示意图。

图2A为实施方式中的发光元件的制造工序图。

图2B为实施方式中的发光元件的制造工序图。

图2C为实施方式中的发光元件的制造工序图。

图2D为实施方式中的发光元件的制造工序图。

图2E为实施方式中的发光元件的制造工序图。

图2F为实施方式中的发光元件的制造工序图。

图2G为实施方式中的发光元件的制造工序图。

图2H为实施方式中的发光元件的制造工序图。

图2I为实施方式中的发光元件的制造工序图。

图2J为实施方式中的发光元件的制造工序图。

符号说明

1发光元件

1a半导体层压结构体

1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h接合结构体

10、11半导体层压结构

20支撑衬底

20a支撑结构体

100 n型GaAs衬底

101 n型接触层

102 蚀刻阻挡层

103 n型覆层

105 有源层

107 p型覆层

109 p型接触层

110 表面电极

110a、110b、110c、110d 线电极

115 焊盘电极

120 接触部

120a 外周部

120b、120c、120d、120e 细线部

130 反射部

132 反射层

134 阻挡层

136、202 接合层

136a、202a 接合面

140 透明层

140a 开口

200 密合层

204 接触电极

210 背面电极

212 密合层

214 第一金属层

216 第二金属层

具体实施方式