[发明专利]写入相变存储器元件的方法无效
| 申请号： | 200910166450.7 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101777380A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈逸舟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器装置与操作此装置的方法。所述方法包括施予偏压配置至存储单元以改变电阻状态从较高电阻状态至较低电阻状态，其中施予偏压配置至存储单元包括施予跨过相变存储器元件的第一电压脉冲与第二电压脉冲，其中第二电压脉冲的电压极性不同于第一电压脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 写入 相变 存储器 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种操作存储单元的方法，其中该存储单元包括一相变存储器元件，该相变存储器元件可程序化至多个电阻状态，所述电阻状态包括一较高电阻状态与一较低电阻状态，该操作存储单元的方法包括：施予一偏压配置至该存储单元以将所述电阻状态从该较高电阻状态改变至该较低电阻状态，其中施予该偏压配置至该存储单元包括施予该相变存储器元件的一第一电压脉冲与一第二电压脉冲，且该第二电压脉冲的电压极性不同于该第一电压脉冲。
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