[发明专利]通过紫外光辐射改善致密和多孔有机硅酸盐材料的机械性能有效
申请号: | 200910164131.2 | 申请日: | 2004-03-04 |
公开(公告)号: | CN101621001A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | A·S·鲁卡斯;M·L·奥内尔;J·L·文森特;R·N·弗蒂斯;M·D·比特纳;E·J·小卡瓦基 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;H01L21/3105;C23C16/44;C23C16/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 赵苏林;韦欣华 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 涉及通过紫外光辐射改善致密和多孔有机硅酸盐材料的机械性能。一种低介电材料和包含该低介电材料的薄膜,当在集成电路中用作为层间电介质时,具有改善性能,以及制备该材料和薄膜的方法。在本发明的一方面,有机硅酸盐玻璃薄膜被暴露在紫外光源下,其中该薄膜在曝光后,其机械性能(例如材料硬度和弹性模量)至少比沉积的薄膜要提高10%或更多。 | ||
搜索关键词: | 通过 紫外 光辐射 改善 致密 多孔 有机 硅酸盐 材料 机械性能 | ||
【主权项】:
1.一种改进有机硅酸盐薄膜的材料硬度和弹性模量的方法,包括:通过化学气相沉积,使用至少一种包括造骨架剂前体的化学试剂在至少一部分基片上沉积有机硅酸盐薄膜,以得到具有第一材料硬度和第一弹性模量的有机硅酸盐薄膜;和在非氧化性气体环境中,将有机硅酸盐薄膜暴露在紫外辐射源中,以得到具有第二材料硬度和第二弹性模量的有机硅酸盐薄膜,其中第二材料硬度和第二弹性模量至少比第一材料硬度和第一弹性模量高10%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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