[发明专利]背侧相栅掩模及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910160237.5 申请日: 2009-07-30
公开(公告)号: CN101770162A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 吴宬贤;南炳虎 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种背侧相栅掩模及其制造方法。该掩模包括形成在基板前侧上的掩模图案以及形成在基板背侧上的相栅。掩模图案对应于斜图案的布局,该斜图案沿从直角坐标系的轴朝向预定方向旋转的方向延伸。相栅的延伸方向平行于所述掩模图案的延伸方向。相栅包括交替设置在基板背侧上的第一相区和第二相区,第一相区和第二相区之间具有180°的相差。第一相区和第二相区导致阻挡入射到基板的曝光光的零级光且允许初级光入射到掩模图案的相干涉。
搜索关键词: 背侧相栅掩模 及其 制造 方法
【主权项】:
一种掩模,包括:基板;掩模图案,形成在所述基板的前侧上,所述掩模图案与斜图案的布局相对应,所述斜图案沿从直角坐标系的轴朝向预定方向旋转的方向延伸;以及相栅,具有线性形状且形成在所述基板的背侧上,所述相栅的延伸方向平行于所述掩模图案的延伸方向。
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