[发明专利]背侧相栅掩模及其制造方法有效
申请号: | 200910160237.5 | 申请日: | 2009-07-30 |
公开(公告)号: | CN101770162A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 吴宬贤;南炳虎 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背侧相栅掩模 及其 制造 方法 | ||
1.一种掩模,包括:
衬底;
掩模图案,形成在所述衬底的前侧上方,所述掩模图案与斜图案的布局 相对应,所述斜图案沿从直角坐标系的轴朝向预定方向旋转的方向延伸,所 述直角坐标系对应于彼此垂直的字线和位线;以及
相栅,具有线性形状且形成在所述衬底的背侧上方,所述相栅的延伸方 向平行于所述掩模图案的延伸方向;
其中所述相栅包括交替设置在所述衬底的背侧上方的第一相区和第二 相区,所述第一相区与所述第二相区之间具有180°的相差,其中所述第一相 区和所述第二相区导致相干涉,所述相干涉阻挡入射到所述衬底的曝光光的 零级光且允许初级光入射到所述掩模图案。
2.如权利要求1所述的掩模,其中所述斜图案对应于6F2单元布置中的 有源区的布局。
3.如权利要求1所述的掩模,其中所述第一相区包括沟槽,所述沟槽 到所述衬底的背侧表面的深度提供所述180°的相差,并且所述第二相区是所 述衬底的背侧的由所述沟槽划界的表面区域。
4.如权利要求1所述的掩模,其中包括所述第一相区的宽度和所述第 二相区的宽度的栅节距大致是图案节距的两倍,所述图案节距包括每个掩模 图案的宽度和相邻掩模图案的间隔的宽度。
5.如权利要求1所述的掩模,其中所述相栅设置在相对于设置所述掩 模图案的区域的外侧加宽800到1000μm的区域中。
6.一种掩模,包括:
衬底;
第一区域,具有形成在所述衬底的前侧上方的第一掩模图案,所述第一 掩模图案与斜图案的布局相对应,所述斜图案沿从直角坐标系的轴朝向预定 方向旋转的方向延伸,所述直角坐标系对应于彼此垂直的字线和位线;
第二区域,具有沿所述直角坐标系的轴向延伸的第二掩模图案;以及
相栅,具有线性形状且选择性地形成在所述衬底的背侧区域上方,其中 所述相栅与所述第一区域相对应且所述相栅的延伸方向平行于所述第一掩 模图案的延伸方向;
其中所述相栅包括交替设置在所述衬底的背侧上方的第一相区和第二 相区,所述第一相区和所述第二相区之间具有180°的相差,其中所述第一相 区和所述第二相区导致相干涉,所述相干涉阻挡入射到所述衬底的曝光光的 零级光且允许初级光入射到所述第一掩模图案。
7.如权利要求6所述的掩模,其中所述斜图案对应于6F2单元布置中的 有源区的布局。
8.如权利要求6所述的掩模,其中所述第一相区包括沟槽,所述沟槽 到所述衬底的背侧表面的深度提供所述180°的相差,并且所述第二相区是所 述衬底的背侧的由所述沟槽划界的表面区域。
9.如权利要求6所述的掩模,其中包括所述第一相区的宽度和所述第二 相区的宽度的栅节距大致是图案节距的两倍,所述图案节距包括每个第一掩 模图案的宽度和相邻第一掩模图案的间隔的宽度。
10.如权利要求6所述的掩模,其中所述相栅设置在相对于设置所述第 一掩模图案的区域的外侧加宽800到1000μm的区域中。
11.一种制造掩模的方法,包括:
在衬底的前侧上方形成掩模图案,所述掩模图案与斜图案的布局相对 应,所述斜图案沿从直角坐标系的轴朝向预定方向旋转的方向延伸,所述直 角坐标系对应于彼此垂直的字线和位线;以及
在所述衬底的背侧上方形成具有线性形状的相栅,所述相栅的延伸方向 与所述掩模图案的延伸方向平行;
其中所述相栅包括交替设置在所述衬底的背侧上方的第一相区和第二 相区,所述第一相区和所述第二相区之间具有180°的相差,其中所述第一相 区和所述第二相区导致相干涉,所述相干涉阻挡入射到所述衬底的曝光光的 零级光且允许初级光入射到所述掩模图案。
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