[发明专利]一种制备绒面多晶硅片的方法有效
| 申请号： | 200910152012.5 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101935884A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 胡宇宁;王胜亚;姜占锋 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈小莲;王凤桐 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备绒面多晶硅片的方法，该方法包括，使多晶硅片在碱腐蚀溶液中进行碱腐蚀，所述碱腐蚀的条件使多晶硅片的腐蚀量为0.01-0.1mg/cm2；将清洗后的多晶硅片在酸腐蚀条件下进行酸腐蚀，所述酸腐蚀的条件使多晶硅片的腐蚀量为0.5-5mg/cm2，得到酸腐蚀后的多晶硅片。通过本发明提供的制备绒面多晶硅片的方法，可以使该绒面在波长为300-1100nm时的反射率低于18％；同时，可以去除切割多晶硅片时留下的部分损伤层，因此可以增加少数载流子的寿命，从而增加太阳能电池的光转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 多晶 硅片 方法 | ||
【主权项】：
一种制备绒面多晶硅片的方法，该方法包括，使多晶硅片在碱腐蚀溶液中进行碱腐蚀，所述碱腐蚀的条件使多晶硅片的腐蚀量为0.01‑0.1mg/cm2；将清洗后的多晶硅片在酸腐蚀条件下进行酸腐蚀，所述酸腐蚀的条件使多晶硅片的腐蚀量为0.5‑5mg/cm2，得到酸腐蚀后的多晶硅片。
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