[发明专利]发光装置和制造这种发光装置的方法有效
申请号: | 200910150562.3 | 申请日: | 2003-03-26 |
公开(公告)号: | CN101673756A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;村上雅一;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张亚宁;王小衡 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种发光装置和制造这种发光装置的方法,含有机化合物的层通过涂敷形成于连接到薄膜晶体管的下电极的整个表面上。在下电极上形成上电极之后,含有机化合物的层用上电极作为掩模通过等离子体刻蚀以自对准方式被刻蚀,以便于允许含有机化合物的层的选择形成。另外,为与上电极的连接,电连接通过用含导电颗粒或浆的粘结剂实现。另外,发白光的材料或发单色光的材料被用作含有机化合物的层。通过将含有机化合物的层与颜色转换层或色彩层组合实现全色显示。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 制造 这种 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,包括:发光元件,该发光元件包括第一电极、第一电极上的包含有机化合物的层、以及包含有机化合物的层上的第二电极;第二电极上的第三电极;以及电连接到终端部分的布线,其中第二电极和布线通过第三电极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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