[发明专利]一种低频高介电抗还原瓷料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低频高介电抗还原瓷料及其制备方法。该还原瓷料由主晶相和改性添加物组成。其结构式为{(1-a)(Ba_1-xCa_x)_A(Ti_1-yZr_y)_BO₃}·a R₂O₃，其中(Ba_1-xCa_x)_A(Ti_1-yZr_y)_BO₃为主晶相的结构式，R₂O₃代表改性添加物；按摩尔份计，所述的主晶相为93～98％，其中1.00＜A/B＜1.02，0.3＜x＜1.2、13＜y＜20，所述的改性添加物是2～7％，即a的取值是2～7％。在其制备方法中，经历二次煅烧处理。上述陶瓷介质材料符合Y5V瓷介特性、且材料均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好、符合环保要求、介电特性优良。

主权项

1、一种低频高介电抗还原瓷料，由主晶相和改性添加物组成，其结构式为{(1-a)(Ba1-xCax)A(Ti1-yZry)BO3}.a R2O3，其中(Ba1-xCax)A(Ti1-yZry)B O3为主晶相的结构式，R2O3代表改性添加物；按摩尔份计，所述的主晶相为93～98％，其中1.00＜A/B＜1.02，0.3＜x＜1.2、13＜y＜20，所述的改性添加物是2～7％，即a的取值是2～7％。