[发明专利]一种低频高介电抗还原瓷料及其制备方法

权利要求书

1.一种低频高介电抗还原瓷料，由主晶相和改性添加物组成，其结构 式为(1-a)(Ba_1-xCa_x)_A(Ti_1-yZr_y)_BO₃}.aR_ZO_T，其中(Ba_1-xCa_x)_A(Ti_1-yZr_y)_BO₃为主晶相的结构式，aR_ZO_T代表改性添加物，其中T/Z为1～2.5；按摩尔 份计，所述的主晶相为93～98％，其中A/B＝1.01、x＝0.08、y＝0.15，所述 的改性添加物是2～7％，即a的取值是2～7％；

所述的改性添加物是I类普通氧化物和/或II类三价稀土氧化物；

所述的I类普通氧化物是MnO、MgO、Nb₂O₅、ZnO、SiO₂、Al₂O₃中的一 种或几种；

所述的II类三价稀土氧化物是Y₂O₃、Dy₂O₃、Er₂O₃、Ho₂O₃中的一种或几 种。

2.根据权利要求1所述的低频高介电抗还原瓷料，其特征在于：按摩 尔份计，所述的改性添加物在整个抗还原瓷料中的组成是MnO 0.1～ 1.5mol％、MgO 0～0.5mol％、Nb₂O₅ 0～1.5mol％、ZnO 0～1.0mol％、SiO₂0.1～2mol％、Al₂O₃ 0～1.5mol％、Y₂O₃ 0.05～1.5mol％、Dy₂O₃ 0～2.0 mol％、Er₂O₃ 0～1.0mol％、Ho₂O₃ 0～0.5mol％。

3.一种制备权利要求1或2所述陶瓷介质材料的方法，包括主晶相制 备、改性物质的氧化处理和主晶相与改性物的混合处理，其特征在于：

所述主晶相制备包括一次煅烧处理，煅烧温度为1000～1100℃，煅烧 保温时间分别为2～4小时；

所述主晶相与改性物的混合处理包括二次煅烧处理，煅烧温度1050～ 1200℃，煅烧保温时间是2～4小时。