[发明专利]一种低频高介电抗还原瓷料及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种陶瓷介质材料及其制备方法，尤其涉及一种低频 高介电抗还原瓷料及其制备方法。

背景技术

Y5V类MLCC以其容量大、成本低而著称，广泛用于电子通讯、军 事及航天领域，市场需求不断增长。随着MLCC不断向微型化、大容量 化、高可靠性和低成本化方向发展，介质厚度越做越薄，介质层数越 做越多；因此对陶瓷介质材料要求越来越高，不但要有良好的介电性 能，同时必须有很好的工艺性能，即适合超薄介质，适合多层叠加。 由于目前Ni电极MLCC(简称BME)制造领域关键技术主要由国外垄断， 国内MLCC厂家所需介质材料，尤其是用于做大容量超薄介质的高端材 料，几乎全部依赖进口，且价格昂贵，不仅花费国家大量外汇，而且 严重制约了我国新型电子元器件及其材料产业的发展。国内其他从事 瓷料研制开发的公司如山东国瓷，尚未有薄介质大容量Y5V瓷料投入 市场批量使用。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种符合Y5V瓷介特性、可做超 薄介质且材料均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好、介电性 能优良、环保型的低频高介电抗还原瓷料及其制备方法，且在制作 MLCC产品时，能与Ni电极相匹配。

本发明要解决的技术问题是通过以下技术方案实现的：一种低频 高介电抗还原瓷料，由主晶相和改性添加物组成。其结构式为(1- a)(Ba_1-xCa_x)_A(Ti_1-yZr_y)_BO₃}.a R₂O₃，其中(Ba_1-xCa_x)_A(Ti_1-yZr_y)_BO₃为主 晶相的结构式，R₂O₃代表改性添加物。按摩尔份计，所述的主晶相为93～  98％(即1-a)，其中1.00＜A/B＜1.02，0.3＜x＜1.2、13＜y＜20，所述 的改性物质是2～7％(即a的取值是2～7％。)。

进一步：在上述低频高介电抗还原瓷料中，所述的改性添加物是 I类普通氧化物和/或II类三价稀土氧化物；所述的I类普通氧化物是 MnO、MgO、Nb₂O₅、ZnO、SiO₂、Al₂O₃中的一种或几种；所述的II类三 价稀土氧化物是Y₂O₃、Dy₂O₃、Er₂O₃、Ho₂O₃中的一种或几种。

再进一步：在上述低频高介电抗还原瓷料中，按摩尔份计，所述 的改性添加物在整个抗还原瓷料中组成是MnO 0.1～1.5mol％、MgO 0～ 0.5mol％、Nb₂O₅ 0～1.5mol％、ZnO 0～1.0mol％、SiO₂ 0.1～2mol％、 Al₂O₃ 0～1.5mol％、Y₂O₃ 0.05～1.5mol％、Dy₂O₃ 0～2.0mol％、Er₂O₃0～1.0mol％、Ho₂O₃ 0～0.5mol％。

本发明还提供了上述低频高介电抗还原瓷料的制备方法，包括主 晶相制备、改性物质的氧化处理和主晶相与改性物的混合处理，所述 主晶相制备包括一次煅烧处理，煅烧温度为1000～1100℃，煅烧保 温时间是2～4小时。所述主晶相与改性物的混合处理包括二次煅烧处 理，煅烧温度1050～1200℃，煅烧保温时间是2～4小时。