[发明专利]熔化硅的方法和系统无效
| 申请号： | 200910143991.8 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101691220A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 阿尔伯利切特·莫泽尔 | 申请（专利权）人： | 岑特罗特姆硅技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 德国布*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种熔化硅的方法以及一种用于熔化硅的系统，在所述方法中，从硅原料(2)截取(40)硅块(4、14、24)，其中，按照使得硅块能够布置在坩埚(6)内的方式确定硅块(4、14、24)的尺寸；将硅块(4、14、24)布置在坩埚(6)内；并且加热坩埚(6)，其中，在将硅块(4、14、24)布置(42)在坩埚(6)内的同时，至少部分地以硅粒(8、18、20、28)来填充(44)在坩埚壁(7)和硅块(4、14、24)之间出现的、或者在硅块(4、14、24)的实体部分之间出现的这些空腔(10)的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 熔化 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种熔化硅的方法，在所述方法中将硅块(4、14、24)布置(42)在可加热的坩埚(6)内，并加热(46)所述坩埚(6)，其特征在于在将所述硅块(4、14、24)布置(42)在所述坩埚(6)内的同时，至少部分地以硅粒(8、18、20、28)来填充(44)在坩埚壁(7)和所述硅块(4、14、24)之间出现的空腔(10)或者在所述硅块(4、14、24)的实体部分之间出现的空腔(10)的至少一部分。
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