[发明专利]晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200910140975.3 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101582453A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 朴宰彻;权奇元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种具有自调整顶栅结构的晶体管及其制造方法。该晶体管包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。该晶体管还包括顺序堆叠在沟道区上的栅极绝缘层和栅电极。还提供了包括至少一个晶体管的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶体管，所述晶体管包括：氧化物半导体层，形成在基底上，所述氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；叠层结构，包括堆叠在沟道区上的栅极绝缘层和栅电极。
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