[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910140250.4 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101625998A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 李镕俊 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/762;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成氧化层；通过局部蚀刻氧化层和半导体衬底来形成第一沟槽和第二沟槽；形成与第二沟槽重叠的小沟槽，以使第二沟槽具有阶梯结构；以及沉积一层或多层介电层，使第一沟槽形成用于限定半导体器件区的器件隔离层，并且使具有所述阶梯结构的第二沟槽形成漏极扩展器件隔离层。本发明可提高LDMOS器件的击穿电压，同时降低导通电阻，从而提高器件的操作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，即LDMOS器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成氧化层；通过局部地蚀刻所述氧化层和所述半导体衬底，形成第一沟槽和第二沟槽；形成与所述第二沟槽重叠的小沟槽，以使所述第二沟槽具有阶梯结构；以及将一层或多层介电层沉积到所述第一沟槽和所述第二沟槽中，以使所述第一沟槽形成用于限定半导体器件区的器件隔离层，并且使具有所述阶梯结构的所述第二沟槽形成漏极扩展器件隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
