[发明专利]一种用于完全硅金属化工艺的高压静电保护器件及其相应的生产方法

摘要

本发明提出了在半导体集成电路(IC)工业中一种用于完全硅金属化工艺的高压静电保护器件及保护网络。更确切地说，针对完全硅金属化的工艺中，一种可以不用防硅金属化隔离层(no salicide block)，在电源VDD线和IO管脚之间或在两条有着不同电位的电源线之间所用的静电防护器件。使用传统的CMOS集成电路生产工艺，诸如离子注入和光刻步骤，就可获得一种类似于双极型三极管的NPN结构。为克服硅金属化工艺带来硅表面镇流电阻(Ballast resistance)下降从而影响静电保护器件的质量问题，采用分段隔离结合N-阱离子注入从而进一步形成N+/P-/P+/N-/N+的放电结构。将其一个N+扩散区与电源VDD相连，另一N+扩散区与另一个电源或IO管脚相连，同时使该P+扩散区节保持悬浮状态，就此，一种耐高压的静电放电保护电路得以形成。该设置不仅保护了内部电路，而且不受两个节点上的电压差和上电下电所产生的后果的干扰，并且这一设置也可用于热插拔之需，这就意味着在电源开启状态下插入这样的装置，而不会在IO管脚和电源VDD之间引起瞬态漏电流。

主权项

一种静电放电(ESD)保护设置，利用一种由N+/P-/P+/N-/N+构成的击穿路径在电源VDD和IO管脚之间，或两个具有相同或不同运行电压的不同电源端之间形成。