[发明专利]一种透明导电膜用IZGO溅射靶材及制造方法无效
| 申请号： | 200910133330.7 | 申请日： | 2009-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101851745A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 孔伟华 | 申请（专利权）人： | 宜兴佰伦光电材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏忠晖 |
| 地址： | 214263*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明导电膜用IZGO溅射靶材及制造方法。该IZGO溅射靶材所用的原料粉体中，ZnO的含量为80-99wt％，In2O3为0.1-10wt％，Ga2O3含量为0.1-10wt％，粉体平均粒径为0.05-50微米，原料粉体的纯度大于或等于4N。本发明还公开了该种透明导电膜用IZGO溅射靶材的制造方法。本发明的所得材料，用于磁控溅射生产透明导电膜的生产过程更易控制，不存在类似ITO的严重毒化现象。溅射过程不需要加热，这在塑料等柔性导电膜的生产中更有优势，生产的透明导电膜电阻率小于7×10-4Ω·cm，400-700nm可见光透过率大于85％，可以满足各种透明导电膜要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 izgo 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电膜用IZGO溅射靶材，其特征在于：所用的原料粉体中，ZnO的含量为80-99wt％，In2O3为0.1-10wt％，Ga2O3含量为0.1-10wt％，粉体平均粒径为0.05-50微米，原料粉体的纯度大于或等于4N。
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