[发明专利]多晶硅生长工艺用坩埚装置无效
| 申请号： | 200910131486.1 | 申请日： | 2009-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101774583A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 冯焕培;黎志欣;王军 | 申请（专利权）人： | 北京京运通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100088北京市西城*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于一种利用定向凝固技术生长多晶硅设备中工艺用坩埚装置。核心是采用方形高纯石墨坩埚替代目前通常采用的方形高纯石英坩埚。高纯石英坩埚采用整块石墨毛坯加工而成，辅以相关的工艺设计(见附图)，在坩埚内表面进行Si3N4，SiO/SiN或其他材料喷涂并高温固化，方形高纯石墨坩埚可以在多晶硅定向生长凝固炉中重复使用，可以大大降低多晶硅锭产出成本，从而降低硅片价格以利用于光伏产业发展。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 生长 工艺 坩埚 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅定向凝固生长炉中工艺用坩埚装置，主要由方形、长方形或其它形状整体石墨坩埚、坩埚内涂覆层组成。
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