[发明专利]具有单端读出放大器的半导体器件

摘要

本发明涉及具有单端读出放大器的半导体器件。在防止芯片尺寸增大且抑制了功耗增大的同时，来对MOS晶体管的温度相关性进行补偿。该半导体器件具有DRAM单元，DRAM单元由信息电荷累积电容器和存储单元选择晶体管构造，监控构成读出电路的MOS晶体管的阈值电压值，并且通过利用以下转移率来转换MOS晶体管的被监控的阈值电压值，其中，转移率是基于信息电荷累积电容器的电容和位线的寄生电容来确定的。将被转换的电压值电平偏移，使得预充电电路的预充电电压为预设值电压，对于电平偏移的电压值增加供电能力，并且将电压作为预充电电压来提供。

主权项

1.一种半导体器件，包括：读出放大器，其包括用于放大数据信号的读出晶体管和连接到信号线的控制晶体管，所述读出晶体管具有与传输所述数据信号的所述信号线连接的栅电极和与输出线连接的漏极，在所述数据信号传输到所述信号线之前，所述控制晶体管将所述信号线的电势控制为一预定的电势；内部电源电路，其连接到所述控制晶体管的源极或者所述读出晶体管的源极；以及，温度补偿电路，其用于通过控制所述内部电源电路的输出电压来对于所述读出晶体管的温度相关性进行补偿。