[发明专利]薄膜太阳能电池大规模生产的制造装置与方法有效
申请号: | 200910126433.0 | 申请日: | 2003-09-24 |
公开(公告)号: | CN101521249A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | D·R·霍拉斯 | 申请(专利权)人: | 米亚索尔公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/14;B22F3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王小衡 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种完全通过溅射包括高效率背接触/反射多层的制造改进的薄膜太阳能电池的方法,该背接触/反射多层包含由过渡金属氮化物组成的至少一个阻挡层。使用双圆柱体旋转磁控管技术,从特别准备的电传导靶共溅射二硒化铜铟镓(Cu(InxGal-X)Se2)吸收体层(X的范围从1至约0.1)。通过改变镓的含量,可以分级吸收体层的带隙。在硒化氢气体中,从金属合金靶反应溅射交替的吸收体层。RF溅射用于沉积不包含镉的ZnS窗口层。反应溅射顶部透明电极ZnO掺杂铝。描述了专用模块真空卷装溅射机器。该机器适于与双圆柱体旋转磁控管一体化,在单一途径中以制造改进的太阳能电池材料。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 大规模 生产 制造 装置 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种制造太阳能电池的方法,包括:通过从第一传导靶和第二传导靶进行溅射,沉积p型半导体吸收体层,其中所述p型半导体吸收体层包括基于二硒化铜铟(CIS)的合金材料,使得所述沉积的p型半导体吸收体层是铜不足的;其中第一靶包括铜和硒的混合物,或铜、铟以及铝和镓的至少之一的混合物;以及第二靶包括铟、硒以及铝和镓的至少之一的混合物,或铜、铟以及铝和镓的至少之一的混合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于米亚索尔公司,未经米亚索尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910126433.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的