[发明专利]薄膜太阳能电池大规模生产的制造装置与方法有效

专利信息
申请号: 200910126433.0 申请日: 2003-09-24
公开(公告)号: CN101521249A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: D·R·霍拉斯 申请(专利权)人: 米亚索尔公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/14;B22F3/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王小衡
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种完全通过溅射包括高效率背接触/反射多层的制造改进的薄膜太阳能电池的方法,该背接触/反射多层包含由过渡金属氮化物组成的至少一个阻挡层。使用双圆柱体旋转磁控管技术,从特别准备的电传导靶共溅射二硒化铜铟镓(Cu(InxGal-X)Se2)吸收体层(X的范围从1至约0.1)。通过改变镓的含量,可以分级吸收体层的带隙。在硒化氢气体中,从金属合金靶反应溅射交替的吸收体层。RF溅射用于沉积不包含镉的ZnS窗口层。反应溅射顶部透明电极ZnO掺杂铝。描述了专用模块真空卷装溅射机器。该机器适于与双圆柱体旋转磁控管一体化,在单一途径中以制造改进的太阳能电池材料。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 大规模 生产 制造 装置 方法
【主权项】:
1. 一种制造太阳能电池的方法,包括:通过从第一传导靶和第二传导靶进行溅射,沉积p型半导体吸收体层,其中所述p型半导体吸收体层包括基于二硒化铜铟(CIS)的合金材料,使得所述沉积的p型半导体吸收体层是铜不足的;其中第一靶包括铜和硒的混合物,或铜、铟以及铝和镓的至少之一的混合物;以及第二靶包括铟、硒以及铝和镓的至少之一的混合物,或铜、铟以及铝和镓的至少之一的混合物。
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