[发明专利]制造氮化物半导体激光器的方法

摘要

提供一种能够容易地进行激光腔的方向确定的、使用非极性或半极性晶片制造氮化物半导体激光器的方法。在准备好具有由六方晶系氮化镓半导体构成的晶体(2)及标志构造物(3)的基板体(1)后，沿着与标志构造物(3)交叉的平面切断基板体(1)，形成具有第1标志(7)的六方晶系氮化镓半导体晶片(5)。之后，形成含有氮化镓系半导体层且具有第2标志(27)的半导体重叠层(20)。接着，形成具有与第2标志(27)的方向一致地设置的开口(25a)的绝缘膜(25)。进一步，在绝缘膜(25)及半导体重叠层(20)上形成电极(28)，从而形成基板制品(40)。以劈开面劈开基板制品(40)。

主权项

1.一种制造氮化物半导体激光器的方法，其特征在于，准备基板体，上述基板体具有晶体、正面、背面及多个标志构造物，上述晶体由六方晶系氮化镓半导体构成，上述正面及背面与向上述六方晶系氮化镓半导体的c轴方向延伸的预定的轴交叉，上述晶体从上述基板体的上述正面延伸到上述背面，各上述标志构造物沿着基准面从上述基板体的上述正面延伸到上述背面，上述基准面规定为由该六方晶系氮化镓半导体的m轴及c轴规定的面及由该六方晶系氮化镓半导体的a轴及c轴规定的面中的任意一个面，沿着与上述多个标志构造物交叉的平面切断上述基板体，形成六方晶系氮化镓半导体晶片，上述六方晶系氮化镓半导体晶片具有正面、背面及多个第1标志，各上述第1标志从上述六方晶系氮化镓半导体晶片的上述正面延伸到上述背面，各上述第1标志由各标志构造物的一部分构成，上述六方晶系氮化镓半导体晶片的上述正面显示为半极性及无极性中的任意一种，形成半导体重叠层，上述半导体重叠层包括用于半导体激光器的多个氮化镓系半导体层，上述半导体重叠层具有第2标志，上述第2标志在上述预定的轴的方向上在该氮化镓系半导体层内延伸，上述第2标志位于上述第1标志上，上述多个氮化镓系半导体层在上述六方晶系氮化镓半导体晶片的正面上外延生长，将绝缘膜形成在上述半导体重叠层上，上述绝缘膜具有与上述第2标志的方向一致地设置的开口，在形成上述绝缘膜之后，在上述绝缘膜及上述半导体重叠层上形成电极，从而形成基板制品，在形成上述电极之后，以上述六方晶系氮化镓半导体的劈开面劈开上述基板制品。