[发明专利]场效应晶体管及半导体器件无效
| 申请号： | 200910118564.4 | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101494240A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 黄厚金 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/43;B82B1/00;C01B31/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管及半导体器件。该场效应晶体管包括：源电极和漏电极以及栅。通过改变用作该源电极和漏电极之间的电流通路的沟道的电导率来控制电流，并且至少该沟道的材料是半导电碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：源电极和漏电极；以及栅，其中通过改变用作该源电极和漏电极之间的电流通路的沟道的电导率来控制电流，其中至少该沟道的材料是半导电碳纳米管。
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