[发明专利]多晶硅层的腐蚀方法有效
| 申请号： | 200910109775.1 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102074473A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 钱海锋;黄伟南 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅层的腐蚀方法，包括：S502，干法腐蚀多晶硅层表面因为与空气接触而形成的氧化层；S504，对多晶硅层未被光刻胶覆盖部分正常进行干法腐蚀；S506，在多晶硅层侧壁形成保护层；S508，对多晶硅层进行过腐蚀，去除残留的多晶硅。本发明适用于多层多晶硅结构，相对于传统工艺，省去了形成隔离层的工序。且由于传统工艺台阶处的隔离层无法去除，还必须在形成隔离层之前，就对晶圆片进行一次额外的离子注入，因此还需要增加一块掩膜版和一次光刻过程。上述多晶硅的腐蚀方法一并省下了这个额外的工序，相对于传统工艺节省了生产成本，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅层的腐蚀方法，包括：S502，干法腐蚀多晶硅层表面因为与空气接触而形成的氧化层；S504，对多晶硅层未被光刻胶覆盖部分正常进行干法腐蚀；S506，在多晶硅层侧壁形成保护层；S508，对多晶硅层进行过腐蚀，去除残留的多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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