[发明专利]一种使用剥离法形成金属图案的方法无效
| 申请号： | 200910106985.5 | 申请日： | 2009-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101894792A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 杨坤进;杨康;陈汝钦 | 申请（专利权）人： | 世纪晶源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/78;G03F7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518107 广东省深圳市光明新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体领域，提供一种使用剥离法形成金属图案的方法，其是在衬底上涂覆正光阻；再对已经涂好光阻的衬底进行软烤，并对已经软烤完成的光阻进行全面曝光；再完成全面曝光的衬底进行曝光后烘烤；使用显影液对上述衬底进行显影，使上述的已经涂覆的两层光阻产生底切结构；使用物理气相沉积法在正光阻衬底上沉积一层金属薄膜；使用一般去光阻的溶液将该光阻溶解，光阻上面的金属将从衬底掀离，从而在衬底形成精细的图案。该方法使用双层正光阻通过光刻技术形成具有底切结构光阻剖面，使后续所沉积金属在光阻图案边缘出产生不连续，在溶液中使光阻溶解而将金属掀离，从而形成精细的金属图案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 剥离 形成 金属 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种使用剥离法形成金属图案的方法，其特征在于，该方法包括：(1)在衬底上涂覆正光阻；(2)对已经涂好光阻的衬底进行软烤，并使用曝光机对已经软烤完成的光阻进行全面曝光，使整个光阻层都进行完全的感光反应；(3)使用精细掩模板对衬底进行曝光；(4)对完成曝光的衬底进行曝光后烘烤；(5)使用显影液对上述衬底进行显影，使上述的涂覆的正光阻产生底切结构；(6)使用物理气相沉积法在上述正光阻衬底上沉积一层金属薄膜；(7)使用一般去光阻的溶液将该正光阻溶解，光阻上面的金属将从衬底掀离，从而在衬底形成精细的图案。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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