[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜制备设备及方法无效
申请号: | 200910105793.2 | 申请日: | 2009-03-18 |
公开(公告)号: | CN101509126A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 王凯;姚栋 | 申请(专利权)人: | 王凯;姚栋 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/38;C23C14/40 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518001广东省深圳市罗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及透明导电氧化物薄膜,特别涉及透明导电氧化物薄膜的制备设备及方法。透明导电氧化物薄膜制备设备,包括:带有抽真空系统和进气系统的封闭反应室;在封闭反应室内设有可运动或旋转的基板架,并配有加热器与挡板;与基板架相对设置的溅射源;其不同之处在于,在基板架与溅射源之间还设有氧离子源。氧离子源与基板架中心角度在0到180度范围内可调。本发明采用活性等离子体氧取代氧气作为反应物,大大降低了阳极“消失”和阴极“中毒”的几率,减少了“起弧”频率,提高了系统的运行稳定性,且结构简单,造价低,运行及维护成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 氧化物 薄膜 制备 设备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种透明导电氧化物薄膜制备设备,包括:带有抽真空系统(9)和进气系统(10)的封闭反应室(1);在封闭反应室(1)内设有可运动或旋转的基板架(7),并配有加热器(8)与挡板(13);与基板架(7)相对设置的溅射源;其特征在于,在基板架(7)与溅射源之间还设有氧离子源(6)。
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