[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜制备设备及方法

权利要求书

1、一种透明导电氧化物薄膜制备设备，包括：带有抽真空系统(9)和进气系统(10)的封闭反应室(1)；在封闭反应室(1)内设有可运动或旋转的基板架(7)，并配有加热器(8)与挡板(13)；与基板架(7)相对设置的溅射源；其特征在于，在基板架(7)与溅射源之间还设有氧离子源(6)。

2、根据权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜制备设备，其特征在于，所述氧离子源(6)与所述基板架(7)中心角度在0到180度范围内可调。

3、根据权利要求1或2要求所述的透明导电氧化物薄膜制备设备，其特征在于，所述氧离子源(6)为Kaufman型离子源、End-Hall型离子源、ECR等离子体源、射频放电等离子体源中之一。

4、根据权利要求3所述的透明导电氧化物薄膜制备设备，其特征在于，所述氧离子源(6)上设有加速栅或缓冲栅。

5、根据权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜制备设备，其特征在于，所述溅射源采用单、双阴极和多阴极溅射源。

6、根据权利要求5所述的透明导电氧化物薄膜制备设备，其特征在于，所述溅射源，是直流溅射源；直流磁控溅射源；脉冲直流溅射源；脉冲直流磁控溅射源中之一。

7、根据权利要求5所述的透明导电氧化物薄膜制备设备，其特征在于，所述溅射源是射频溅射源；射频磁控溅射源；交流溅射源；交流磁控溅射源中之一。

8、根据权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜制备设备，其特征在于，所述溅射源采用孪生靶或对靶。

9、根据权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜制备设备，其特征在于，所述溅射源采用移动靶或旋转靶。

10、根据权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜制备设备，其特征在于，其中，所述封闭反应室(1)由奥氏体不锈钢或非磁性材料制成。

11、根据权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜制备设备，其特征在于，所述封闭反应室的抽真空系统(9)由机械泵(11)和分子泵/低温泵(12)组成。

12、一种透明导电氧化物薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、将衬底或基板放置到基板架中，将反应室内抽真空至10-6-10-7托水平。

B、通过进气系统向反应室内通入溅射气体氩气，使反应室处于10-20毫托的气压条件。

C、在阴极和阳极之间分别施加电场，至稳定辉光放电状态后，降低反应室气压至0.1-5毫托。

D、在氧离子体源中通入反应气体，如氧气或者氧气和氩气的混合气，通电生成氧等离子体。

E、待氧离子源工作稳定后，打开基板架挡板，开始镀膜。

F、镀膜过程结束后，先关闭基板架挡板，然后关闭阴极电源，随后关闭氩气源，最后关闭氧离子源电源与反应气体源。