[发明专利]一种由工业硅提纯制备高纯硅的方法无效
| 申请号： | 200910102811.1 | 申请日： | 2009-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102040219A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 吴展平 | 申请（专利权）人： | 贵阳宝源阳光硅业有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 52002 | 代理人： | 徐逸心 |
| 地址： | 550014 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种由工业硅提纯制备高纯硅的方法，该方法是结合工业硅生产，直接利用炉外精炼硅熔体，在炉外精炼设备里进行氧化造渣除硼，去渣后的硅熔体上倾倒入除磷的设备，还原造渣除磷后，待硅熔体缓慢冷却至室温，将得到的硅锭去掉渣层、杂质含量高的表层后，粉碎至粒度20-50目，再进入高纯盐酸中浸泡、清洗，烘干。最后进行定向凝固进一步除金属杂质，得到B含量＜0.5ppm，P含量＜1ppm，总金属夹杂物含量＜1ppm的高纯硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工业 提纯 制备 高纯 方法 | ||
【主权项】：
一种由工业硅提纯制备高纯硅的方法，其特征是结合工业硅生产，直接利用炉外精炼硅熔体，在炉外精炼设备里进行氧化造渣除硼；去硼渣后的硅熔体，上倾倒入除磷的设备，还原造渣除磷；除磷后的硅熔体控制冷却速度缓慢冷却至室温，将得到的硅锭去掉渣层、杂质含量高的表层，粉碎至粒度20‑50目，再进入高纯盐酸中浸泡、清洗，烘干，最后进行定向凝固进一步除金属杂质，得到B含量＜0.5ppm，P含量＜1ppm，总金属夹杂物含量＜1ppm的高纯硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵阳宝源阳光硅业有限公司，未经贵阳宝源阳光硅业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910102811.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种契型熔断体
- 下一篇：一种方便安装的熔断体
