[发明专利]PtIr合金薄膜及涂层的制备方法

摘要

本发明涉及一种高硬度且成分均匀的PtIr合金薄膜及其制备技术。以该合金薄膜采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术制备。合金成分(Ir元素重量百分比)在4-45％之间，合金成分波动幅度在5％以内；合金纯度在99.08-99.63％之间。与传统铸造加工技术制备的PtIr合金相比，本发明方法制备的PtIr合金硬度大(MOCVD法制备合金维氏硬度为475-853，铸造加工合金维氏硬度为150-350，MOCVD技术制备的PtIr合金硬度是铸造法制备的同含量PtIr合金的2.5-3.0倍)，并可节省贵金属。本发明方法制备的PtIr合金可应用于高温保护涂层和电接触材料领域。

主权项

1.一种PtIr合金薄膜和涂层的制备方法，其特征在于依次包括下列工艺步骤：(1)以钼、石墨、或其他金属及陶瓷为基体，并将基体材料进行表面抛光和高温真空除气处理；(2)以含铂或铱的金属有机化合物为制备PtIr合金的前驱体，将制得的前驱体分别置于二个石英舟中，并采用二个分立的电炉分别控制二种前驱体的加热温度；(3)采用中频或高频感应炉加热沉积基体，沉积过程中基体随旋转台旋转；(4)控制MOCVD工艺条件沉积PtIr合金，根据设计的厚度要求确定沉积时间。