[发明专利]TFT-LCD阵列基板及制造该阵列基板的双调掩膜板有效
| 申请号： | 200910092898.9 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102023425A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 金熙哲 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G03F1/14;H01L21/82;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板及制造该阵列基板的双调掩膜板。该阵列基板包括源电极、漏电极及TFT沟道，所述TFT沟道的两侧分别设置有凸起部。本发明通过在TFT沟道的两侧形成凸起部，即时引起较大的过度刻蚀，也能够保证TFT沟道的参数，并且增加了TFT沟道的实际宽度，降低了TFT沟道信号传输的延迟，提高了液晶显示器的响应时间，提高了液晶显示器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 制造 双调掩膜板 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括源电极、漏电极及TFT沟道，其特征在于，所述TFT沟道的两侧分别设置有凸起部。
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