[发明专利]浸渍阴极基体的制备方法无效
| 申请号： | 200910092883.2 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102024640A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 刘燕文;田宏;朱虹;王宇;易红霞;李玉涛;张洪来;刘濮琨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J9/04 | 分类号： | H01J9/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种浸渍阴极基体的制备方法，涉及微波器件技术，用于浸渍钡钨阴极的钨海绵基体的制备，是采用颗粒喷雾干燥造粉加工技术将大小不一形状各异的钨颗粒制备成均匀的球形颗粒，增强了钨粉的流动性，将这种处理过的钨粉灌入橡胶套后通过敲打夯实或震动，可使钨粉颗粒形成密堆积结构，然后再进行压制烧结工艺制备钨海绵基体。本发明方法简单易行，制备的浸渍阴极基体，具有孔洞大小一致，孔洞分布均匀，闭孔少等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 浸渍 阴极 基体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种浸渍阴极基体的制备方法，用于浸渍钡钨阴极的钨海绵基体的制备，其特征在于，包括下列步骤：(1)将纯度99.9％和大小2‑8微米的钨粉在摄氏500‑1000度真空炉中加热1‑3小时进行净化处理；(2)采用颗粒喷雾干燥造粉加工技术将大小不一形状各异的经过步骤(1)处理的钨颗粒制备成均匀的球形颗粒；(3)将经过步骤(2)处理的钨球形颗粒钨粉在摄氏500‑1000度真空炉中加热1‑3小时进行净化处理；(4)将经过步骤(3)处理的钨球形颗粒粉灌入橡胶套后通过敲打夯实或震动，使钨粉颗粒形成密堆积结构，然后进行等静压压制成形，压强为150‑250Mpa；(5)将经过步骤(4)压制成形的钨棒，在摄氏900‑1400度的氢气氛下低温烧结30‑60分钟；(6)将经过步骤(5)处理的钨棒在摄氏1900度‑2500度的氢气氛下高温烧结1‑3小时，得到钨海绵。
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