[发明专利]浸渍阴极基体的制备方法无效
| 申请号： | 200910092883.2 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102024640A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 刘燕文;田宏;朱虹;王宇;易红霞;李玉涛;张洪来;刘濮琨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J9/04 | 分类号： | H01J9/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浸渍 阴极 基体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种浸渍阴极基体的制备方法，用于浸渍钡钨阴极的钨海绵基体的制备，其特征在于，包括下列步骤：
(1)将纯度99.9％和大小2-8微米的钨粉在摄氏500-1000度真空炉中加热1-3小时进行净化处理；
(2)采用颗粒喷雾干燥造粉加工技术将大小不一形状各异的经过步骤(1)处理的钨颗粒制备成均匀的球形颗粒；
(3)将经过步骤(2)处理的钨球形颗粒钨粉在摄氏500-1000度真空炉中加热1-3小时进行净化处理；
(4)将经过步骤(3)处理的钨球形颗粒粉灌入橡胶套后通过敲打夯实或震动，使钨粉颗粒形成密堆积结构，然后进行等静压压制成形，压强为150-250Mpa；
(5)将经过步骤(4)压制成形的钨棒，在摄氏900-1400度的氢气氛下低温烧结30-60分钟；
(6)将经过步骤(5)处理的钨棒在摄氏1900度-2500度的氢气氛下高温烧结1-3小时，得到钨海绵。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述均匀的球形颗粒，球形颗粒粒径为20-50微米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电子学研究所，未经中国科学院电子学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910092883.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
