[发明专利]一种晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 200910090149.2 | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101986437A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 胡立琼 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅的衬底，所述衬底上的n型层，所述n型层上的阴极；其中，所述阴极为透明导电膜，其功函数小于或等于4.26eV。所述透明导电膜包括LaB6，其功函数的范围为2.6至3.0eV，所述透明导电膜的透光率为35％至70％。由于采用透明导电膜作为电池的阴极，有利于太阳光透过阴极入射至pn结，提高入射光的使用率从而将更多的光能转换为电能，而且，该透明导电膜的功函数至少不高于金属银的功函数，可以与n型层形成良好的欧姆接触，从而提高电子的注入效率，因此，所述晶体硅太阳能电池具有更高的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：p型晶体硅的衬底，所述衬底上的n型层，所述n型层上的阴极；其中，所述阴极为透明导电膜，其功函数小于或等于4.26eV。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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