[发明专利]一种晶体硅太阳能电池有效
申请号: | 200910090149.2 | 申请日: | 2009-07-29 |
公开(公告)号: | CN101986437A | 公开(公告)日: | 2011-03-16 |
发明(设计)人: | 胡立琼 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;王宝筠 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池,其特征在于,包括:
p型晶体硅的衬底,
所述衬底上的n型层,
所述n型层上的阴极;
其中,所述阴极为透明导电膜,其功函数小于或等于4.26eV。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述透明导电膜包括LaB6。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述透明导电膜功函数的范围为2.6至3.0eV。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述透明导电膜的透光率为35%至70%。
5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述透明导电膜将整个n型层的表面覆盖,从而作为电池的迎光面。
6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述n型层为在所述p型晶体硅表面形成的扩散层。
7.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述n型层为掺杂薄膜硅。
8.根据权利要求7所述的晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述掺杂薄膜硅和衬底之间还具有本征薄膜硅层。
9.根据权利要求1、6或7所述的晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述透明导电膜的上表面为绒面结构。
10.根据权利要求1、6或7所述的晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述透明导电膜与所述n型层之间的界面为绒面结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的