[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910089384.8 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101957529A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 崔承镇;宋泳锡;刘圣烈 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种FFS型液晶显示器阵列基板及其制造方法，该方法包括：在透明基板上沉积第一金属薄膜，通过第一构图工艺，形成包括栅线、栅电极以及公共电极线的图形；沉积栅绝缘层、有源层薄膜以及第二金属薄膜，通过第二构图工艺，在数据线区域、源电极区域、漏电极区域以及TFT沟道区域保留有源层薄膜以及第二金属薄膜；沉积第一透明导电薄膜，通过第三次构图工艺，形成包括源电极、漏电极、TFT沟道以及像素电极的图形；沉积钝化层，通过第四次构图工艺，形成包括连接孔的图形，进行光刻胶灰化工艺，沉积第二透明导电层，通过离地剥离工艺形成包括公共电极的图形。本发明能够降低TFT沟道的过度刻蚀的程度，保障液晶显示器的显示性能。 | ||
| 搜索关键词： | ffs tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FFS型TFT‑LCD阵列基板的制造方法，包括栅线区域、数据线区域、栅电极区域、公共电极线区域、源电极区域、漏电极区域、像素电极区域以及TFT沟道区域，其特征在于，包括：步骤1：在透明基板上沉积第一金属薄膜，通过第一构图工艺，形成包括栅线、栅电极以及公共电极线的图形；步骤2：沉积栅绝缘层、有源层薄膜以及第二金属薄膜，通过第二构图工艺，在所述数据线区域、源电极区域、漏电极区域以及TFT沟道区域保留所述有源层薄膜以及所述第二金属薄膜；步骤3：沉积第一透明导电薄膜，通过第三次构图工艺，形成包括源电极、漏电极、TFT沟道以及像素电极的图形；步骤4：沉积钝化层，通过第四次构图工艺，形成包括连接孔的图形，进行光刻胶灰化工艺，沉积第二透明导电层，通过离地剥离工艺形成包括公共电极的图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910089384.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
