[发明专利]一种降低SiGe虚拟衬底表面粗糙度的方法有效
| 申请号： | 200910088227.5 | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101609797A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 郭磊;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 童晓琳 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于半导体技术领域的一种降低SiGe虚拟衬底表面粗糙度的方法。采用减压化学气相淀积工艺，以SiH4为气源在Si圆片上外延一层Si缓冲层后，以SiH4和GeH4作为反应气源，在Si圆片上外延SiGe层，其特征在于，外延SiGe层时外延温度为400-650℃。本发明通过降低外延温度可以非常有效的降低外延出的SiGe虚拟衬底的表面粗糙度，采用本发明的方法可以制备出表面非常平坦的SiGe层，适合于作为虚拟衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 sige 虚拟 衬底 表面 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
1、一种降低SiGe虚拟衬底表面粗糙度的方法，采用减压化学气相淀积工艺，以SiH4为气源在Si圆片上外延一层Si缓冲层后，以SiH4和GeH4作为反应气源，在Si圆片上外延SiGe层，其特征在于，外延SiGe层时外延温度为400-650℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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