[发明专利]大型MEMS光交换阵列硅基片面积缩小的方案无效
| 申请号： | 200910087681.9 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101621720A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 乔耀军;高燚;纪越峰 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H04Q11/00 | 分类号： | H04Q11/00;H04B10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明设计属于光通信领域，尤其涉及全光网络的关键设备光交叉连接设备(OXC)中的光交换阵列。本MEMS(微机电系统)光交换阵列在端口数较多的情况下，采用了置入微透镜的方法，对光束重新聚焦，缩小了光束半径，从而有效地控制了反射镜大小，整体上缩小了MEMS硅基片的面积，极大地提高了大型MEMS光交换阵列的性价比。 | ||
| 搜索关键词： | 大型 mems 交换 阵列 硅基片 面积 缩小 方案 | ||
【主权项】：
一种应用于大规模多端口MEMS光交换阵列使其基片面积得到减小的方案，其特征在于所述的方法，包括以下步骤：1.对于任意结构的大规模MEMS光交换阵列，首先都可以通过该特定结构确定光束通过该结构的最长路径，一般为端口数N和镜子间距p的函数；
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