[发明专利]一种加热方法、装置及基片处理设备有效
| 申请号： | 200910087117.7 | 申请日： | 2009-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101924016A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 郑能涛 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100016 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种加热方法，用于在基片处理设备的工艺腔室中对载板及待加工工件进行加热，其包括：100)检测所述载板的平面度并判断载板是否出现变形，如果是，则不对所述载板进行加热，而使其进入恒温状态以消除所述变形；如果否，则对所述载板进行加热；200)重复步骤100，直至将所述载板及待加工工件加热至目标温度T*。上述加热方法的优点在于，可对载板及待加工工件进行均匀加热并有效避免载板变形，从而提高产品加工质量。此外，本发明还提供一种加热装置及应用上述方法/装置的基片处理设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 方法 装置 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种加热方法，用于在基片处理设备的工艺腔室中，对载板及其所承载的待加工工件进行加热，直至达到工艺所需的目标温度T*，其特征在于，该方法包括下述步骤：100)检测所述载板的平面度并判断载板是否出现变形，如果是，则不对所述载板进行加热，而使其进入恒温状态以消除所述变形；如果否，则对所述载板进行加热；200)重复步骤100，直至将所述载板及待加工工件加热至目标温度T*。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
