[发明专利]电阻存储器无效
| 申请号： | 200910083181.8 | 申请日： | 2009-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101546811A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 张培健;赵宏武;孟洋;刘紫玉;廖昭亮;苏涛;潘新宇;梁学锦;陈东敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种含有导电氧化层，并可提供给可变电阻存储介质氧元素的非易失性电阻存储器件。该非易失性电阻存储器件，包括：底电极；可变电阻存储介质层，该介质层为氧化物；充当氧库的导电氧化物；以及顶电极。通过插入的导电氧化层为介质层提供电阻翻转时的氧空位来改善存储介质的翻转特性和稳定性及持久性。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种电阻储存器，包括在衬底上形成的底电极；在底电极上形成的存储介质层和在存储介质层上形成的顶电极，其特征在于：还包括插入底电极和顶电极之间的导电氧化物层。
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