[发明专利]外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜有效
| 申请号： | 200910082471.0 | 申请日： | 2009-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101867012A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 曹立新;李位勇;韩烨;张帅;许波;赵柏儒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;C23C14/22;C23C14/06;H01L39/02 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;徐丁峰 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种外延铁基超导薄膜的制备方法，其包括以下步骤：a)制备外延铁基超导薄膜所需的靶材，将所述靶材放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中，其中所述靶材是FeSex或FeSe(1-y)Tey靶材，其中0.80≤x≤1.0，0＜y≤1.0；b)准备基片，将所述基片固定在基片台上，将所述基片台放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中；c)加热所述基片台进而加热所述基片；d)利用脉冲激光沉积方法在所述基片上用脉冲激光沉积方法生长薄膜。本发明还提供根据上述方法制备的单α-相、c-取向外延铁基超导薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 超导 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种外延铁基超导薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)制备外延铁基超导薄膜所需的靶材，将所述靶材放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中，其中所述靶材是FeSex或FeSe(1-y)Tey靶材，其中0.80≤x≤1.0，0＜y≤1.0；b)准备基片，将所述基片固定在脉冲激光沉积系统的基片台上，将所述基片台放入真空腔体；c)加热所述基片台进而加热所述基片；d)利用脉冲激光沉积方法在所述基片上用脉冲激光进行沉积以生长薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910082471.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
